Samsung приступила к массовому производству памяти GDDR6

Евгений Мамонов, опубликовано 21 января 2018 г.

Samsung объявила о начале промышленного производства новой памяти типа GDDR6. Данная память будет применяться, главным образом, в графических картах следующего поколения, игровых консолях и других устройствах, в которых к пропускной способности памяти предъявляются повышенные требования.

GDDR6

Память GDDR6 изготавливается по 10-нанометровым технологическим нормам микросхемами по 16 Гбит. Память прошлого поколения GDDR5 использовала 20-нанометровый процесс и микросхемы емкостью 8 Гбит. Энергопотребление GDDR6 снижено на 35%, а рабочие напряжения теперь составляют 1,35 В вместо 1,55 В.

Пропускная способность памяти при наличии 384-битной шины достигает 864 Гбайт/с, что почти сопоставимо с показателями более дорогой памяти типа HBM2, устанавливаемой в премиальные графические карты. В случае с 256-разрядной шиной видеокарты пропускная способность GDDR6 составляет 576 Гбайт/с, а это почти соответствует аналогичному показателю в случае использования памяти GDDR5 и 384-битной шины в картах прошлого поколения.

Точные сроки выхода первых решений с памятью GDDR6 производства Samsung неизвестны. Скорее всего, это произойдет ближе ко второй половине текущего года.