Смартфоны на UFS 2.1 смогут работать с памятью до 512 Гб

Артем Костенко, опубликовано 10 марта 2017 г.

В настоящее время самым передовым стандартом создания флеш-накопителей для мобильных устройств считается UFS 2.0. На днях компания Silicon Motion объявила, что у нее уже готовы контроллеры памяти, поддерживающие следующий стандарт UFS 2.1, а также сопутствующие ему протоколы UFS HS-Gear3x1L, UFS HS-Gear3x2L. Новые контроллеры работают с памятью 3D NAND, поддерживают LDPC ECC и построены собственными силами компании на архитектуре MIPI M-PHY.

UFS 2.1

Производительность памяти и контроллера, работающих по стандартам UFS 2.1, может достигать 50 000 IOPS и 40 000 IOPS на чтение и на запись, при этом скорости последовательного чтения и записи в трое превышают таковые у того же eMMC 5.1, который используют смартфоны среднего и низшего сегментов. Интересно, что новые контроллеры для UFS 2.1 позволят смартфону работать с увеличенными вплоть до 512 Гб объемами памяти. Так что через пару лет удивляться наличию в модельном ряду Galaxy S или iPhone опции с 512 Гб флеш-памяти уже не придется.

Вместе с тем новая память UFS 2.1 постепенно должна будет вытеснить устаревший eMMC, не отвечающий последним стандартам ни с точки зрения производительности, ни с точки зрения энергоэффективности. Источник добавил, что первые готовые образцы контроллеров будут отправлены производителям памяти уже во втором квартале текущего года.