Чипсет Snapdragon 855 получит 2-гигабитный LTE-модем

Евгений Мамонов, опубликовано 16 февраля 2018 г.

Вот уже два поколения подряд Qualcomm использует для своих однокристальных систем категории high-end 10-нанометровый техпроцесс. По нему была изготовлена SoC Snapdragon 835 в 2016 году, по нему же в текущем году будет выпускаться Snapdragon 845. Переход на следующую ступень миниатюризации должен состояться с выходом чипсета Snapdragon 855, который будет изготавливаться по 7-нанометровому техпроцессу.

Snapdragon 855

Информацией о Snapdragon 855 поделился Роланд Куандт (Roland Quandt), известный инсайдер, сведения которого почти всегда оказываются максимально приближенными к действительности. Куандт заявил, что один из контрактных производителей (скорее всего речь идет о TSMC) подтвердил, что QSD 855 будет изготавливаться по нормам 7-нм. В этом же сообщении Куандт указал, что чипсет получит интегрированный модем LTE X24.

Вчера Qualcomm как раз представила модем LTE X24, поддерживающий скорость загрузки до 2 Гбит/с. Предыдущий модем X20, представленный в прошлом году, поддерживал загрузку на скорости до 1,2 Гбит/с. Хотя в реальных условиях скорости 2 Гбит/с вряд ли будут достижимы, по крайней мере, в сетях 4G. Модем X24 поддерживает агрегацию семи несущих частот и имеет 4×4 MIMO антенны.